SI1029X-T1-GE3 MOSFET 60V Vds 20V Vgs SC89-6 N&P PAIR
♠ Deskripsyon sa Produkto
| Hiyas sa Produkto | Bili sa Hiyas |
| Manufacturer: | Vishay |
| Kategoriya sa Produkto: | MOSFET |
| RoHS: | Mga Detalye |
| Teknolohiya: | Si |
| Estilo sa pag-mount: | SMD/SMT |
| Pakete/Kaso: | SC-89-6 |
| Transistor Polarity: | N-Channel, P-Channel |
| Gidaghanon sa mga Channel: | 2 kanal |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Id - Padayon nga Pag-agas sa Agos: | 500 mA |
| Rds On - Pagsukol sa Drain-Source: | 1.4 Ohms, 4 Ohms |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Qg - Gate Charge: | 750 pC, 1.7 nC |
| Minimum nga Operating Temperatura: | - 55 C |
| Maximum Operating Temperatura: | + 150 C |
| Pd - Pagkawala sa Gahum: | 280 mW |
| Channel Mode: | Gipanindot |
| Tradename: | TrenchFET |
| Pagputos: | Reel |
| Pagputos: | Guntinga ang Tape |
| Pagputos: | MouseReel |
| Brand: | Vishay Semiconductor |
| Configuration: | Doble |
| Pagpasa sa Transconductance - Min: | 200 mS, 100 mS |
| Taas: | 0.6 mm |
| Gitas-on: | 1.66 mm |
| Uri sa Produkto: | MOSFET |
| Sunod-sunod nga: | SI1 |
| Gidaghanon sa Pack sa Pabrika: | 3000 |
| Subcategory: | Mga MOSFET |
| Uri sa Transistor: | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| Kinaandan nga Oras sa Paglangan sa Pagpatay: | 20 ns, 35 ns |
| Kinaandan nga Oras sa Paglangan sa Pag-on: | 15 ns, 20 ns |
| gilapdon: | 1.2 mm |
| Bahin # Mga alias: | SI1029X-GE3 |
| Timbang sa Yunit: | 32 mg |
• Halogen-free Sumala sa IEC 61249-2-21 Definition
• TrenchFET® Power MOSFETs
• Gamay kaayo nga Footprint
• High-Side Switching
• Ubos nga Pagsukol:
N-Channel, 1.40 Ω
P-Channel, 4 Ω
• Ubos nga Threshold: ± 2 V (typ.)
• Kusog nga Pagbalhin: 15 ns (typ.)
• Gipanalipdan sa Gate-Source ESD: 2000 V
• Pagsunod sa RoHS Directive 2002/95/EC
• Ilisan ang Digital Transistor, Level-Shifter
• Baterya Operated Sistema
• Mga Sirkit sa Pagbalhin sa Power Supply
